藤田実樹 (Miki Fujita) - マイポータル

基本情報

所属: 一関工業高等専門学校未来創造工学科電気・電子系准教授

学位: 博士(工学)(早稲田大学)

J-GLOBAL ID: 200901024623020503
researchmap会員ID: 5000098294

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研究分野

学歴

論文

Recombination mechanism of heavily Be-doped GaAsN by time-resolved photoluminescence

Takashi Tsukasaki, Hisashi Sumikura, Takuma Fujimoto, Miki Fujita, Toshiki Makimoto

Journal of Vacuum Science & Technology A 41(5) 2023年7月12日査読有り
Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing

Takashi Tsukasaki, Naoki Mochida, Miki Fujita, Toshiki Makimoto

Physica B: Condensed Matter 625 2022年1月15日査読有り
Correction: Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN (Crystal Research and Technology, (2021), 56, 3, (2000143), 10.1002/crat.202000143)

Takashi Tsukasaki, Ren Hiyoshi, Miki Fujita, Toshiki Makimoto

Crystal Research and Technology 56(11) 2021年11月査読有り
Photoluminescence Mechanism in Heavily Si‐Doped GaAsN

Takashi Tsukasaki, Ren Hiyoshi, Miki Fujita, Toshiki Makimoto

Crystal Research and Technology 56(3) 2000143-2000143 2021年3月査読有り
Si doping mechanism in Si doped GaAsN

T. Tsukasaki, R. Hiyoshi, M. Fujita, T. Makimoto

Journal of Crystal Growth 514 45-48 2019年5月査読有り
Optical Properties of Amorphous and Nanostructure Si/SiO2 Quantum Wells

Toshio Takeuchi, Minoru Kondo, Miki Fujita, Atsushi Kawaharazuka, Yoshiji Horikoshi

JOURNAL OF NANO RESEARCH 26 59-62 2014年査読有り
Photoluminescence study of Si doped and undoped Chalcopyrite CuGaSe 2 thin films

Sathiabama Thiru, Miki Fujita, Atsushi Kawaharazuka, Yoshiji Horikoshi

Applied Physics A: Materials Science and Processing 113(2) 257-261 2013年11月査読有り
Characteristics of CuGaSe2 layers grown on GaAs substrates

Miki Fujita, Atsushi Kawaharazuka, Yoshiji Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 378 154-157 2013年9月査読有り
Successful growth of Cu2Se-free CuGaSe2 by migration-enhanced epitaxy

Miki Fujita, Tomohiro Sato, Tsuyoshi Kitada, Atsushi Kawaharazuka, Yoshiji Horikoshi

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 30(2) 2012年3月査読有り
Successful growth of Cu2Se-free CuGaSe2 by migration-enhanced epitaxy

Miki Fujita, Tomohiro Sato, Tsuyoshi Kitada, Atsushi Kawaharazuka, Yoshiji Horikoshi

Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics 30(2) 2012年査読有り
Growth of CuGaSe2 Layers on Closely Lattice-Matched GaAs Substrates by Migration-Enhanced Epitaxy

Miki Fujita, Atsushi Kawaharazuka, Jiro Nishinaga, Klaus H. Ploog, Yoshiji Horikoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(12) 125502 2011年12月査読有り
ZnO epitaxial films grown by flux-modulated RF-MBE

Katsuya Hirano, Miki Fujita, Masanori Sasajima, Tomohiro Kosaka, Yoshiji Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301 370-372 2007年4月査読有り
Crack-free ZnO layer growth on glass substrates by MgO-buffer layer

Y Deesirapipat, C Antarasena, M Fujita, M Sasajima, R Suzuki, Y Horikoshi

COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS 184 307-310 2005年査読有り

MISC

Molecular beam epitaxial growth of ZnMgO/ZnO/ZnMgO single quantum well structure on Si(111) substrate

M Fujita, R Suzuki, M Sasajima, T Kosaka, Y Deesirapipat, Y Horikoshi

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 24(3) 1668-1670 2006年5月
Effects of MgO-buffer layer on the structural and optical properties of polycrystalline ZnO films grown on glass substrate

Y Deesirapipat, M Fujita, M Sasajima, R Suzuki, C Antarasena, Y Horikoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(7A) 5150-5155 2005年7月
Molecular beam epitaxial growth of hexagonal ZnMgO films on Si(111) substrates using thin MgO buffer layer

M Fujita, M Sasajima, Y Deesirapipat, Y Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 278(1-4) 293-298 2005年5月
Intrinsic defects in ZnO films grown by molecular beam epitaxy

T Tatsumi, M Fujita, N Kawamoto, M Sasajima, Y Horikoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 43(5A) 2602-2606 2004年5月
Molecular beam epitaxy growth of ZnO using initial Zn layer and MgO buffer layer on Si(111) substrates

M Fujita, N Kawamoto, M Sasajima, Y Horikoshi

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 22(3) 1484-1486 2004年5月
Growth of ZnO on Si substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy

N Kawamoto, M Fujita, T Tatsumi, Y Horikoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 42(12) 7209-7212 2003年12月
Molecular beam epitaxial growth of ZnO on Si substrate using ozone as an oxygen source

M Fujita, N Kawamoto, T Tatsumi, K Yamagishi, Y Horikoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 42(1) 67-70 2003年1月

講演・口頭発表等

AlGaAs/GaAs超格子太陽電池のPL法による評価

梅木蒼生, 有田晴香, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日
RF-MBE 法で成長した AlGaAsN のフォトルミネッセンス発光

南奈津, 井上洸, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日
粉末ターゲットを用いたスパッタリング法によるGa2O3薄膜の成長

及川篤弥, 藤田実樹, 永露大希, 松本凛太郎, 牧本俊樹

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
粉末ターゲットを用いたスパッタリング法による酸化ガリウムの電気伝導度制御

及川篤弥, 藤田実樹

The 高専 @SEMICON Japan 2022 2022年12月13日
X線逆格子マッピングによる不純物ドープGaAsNの評価

井上洸, 角田拓優, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月23日
フォトルミネッセンス特性を用いたSiドープGaAsNにおける有効質量の評価

南奈津, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
スパッタリング法によるSi, Snを用いたGa2O３へのn型ドーピング

藤田実樹, 井上洋輔, 構祐美子, 長澤凜太郎, 堀越佳治, 牧本俊樹

第30回日本MRS年次大会 2020年12月11日招待有り
針-水パルス放電プラズマによる硝酸生成

田中颯, 古川稜, 大場優人, 藤田実樹, 奥村賢直, アトリパンカジ, 古閑一憲, 白谷正治, 鎌滝晋礼, 板垣奈穂

第30回日本MRS年次大会 2020年12月10日
高濃度BeドープGaAsNのフォトルミネッセンス特性

藤本卓雅, 塚崎貴司, 椎野直樹, 藤田実樹, 牧本俊樹

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月9日
高濃度BeドープGaAsNにおけるBe-N形成

角田拓優, 塚崎貴司, 椎野直樹, 藤田実樹, 牧本俊樹

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月9日
Agricultural Application of Pulsed-electric Discharge Plasma Using Renewable Energy for Seed Disinfection and Growth Improvement

令和元年度高専-技大プラズマネットワーク研究会 2019年11月9日
Agricultural Application of Pulsed-electric Discharge Plasma Using Renewable Energy for Seed Disinfection and Growth Improvement

Ryo KOGAWA, Issei KOMATSU, Taiga ISHIGAMORI, Miki FUJITA, Takamasa OKUMURA

International Conference on "Science of Technology Innovation 2019" 4th STI-Gigaku 2019 2019年11月8日
PL測定を用いたアンドープGaAsNにおける局在準位の評価

大竹浩二朗, 清水光一郎, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月19日
室温における光伝導度測定によるGaAsNの評価

清水光一郎, 大竹浩二朗, 塚崎貴司, 藤田実樹, 牧本俊樹

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月19日
スパッタリング法によるSi,Snを用いたGa2O3へのn型ドーピング

藤田実樹, 井上洋輔, 長澤凜太郎, 構祐美子, 牧本俊樹

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
SiドープGaAsNにおけるフォトルミネッセンス発光過程のSi不純物濃度依存性

塚崎貴司, 日吉連, 藤田実樹, 牧本俊樹

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
Development of plasma generation circuit using renewable energy for agricultural application

Ryo KOGAWA, Issei KOMATSU, Taiga ISHIGAMORI, Miki FUJITA, Takamasa OKUMURA

The 6th Japan-Taiwan Workshop on Plasma Life Science and Technology 2019年9月12日
再生可能エネルギーを用いたプラズマ生成システムの開発と農業応用への展望

小松一聖, 石ケ森大河, 藤田実樹, 奥村賢直

令和元年度電気学会基礎・材料・共通部門大会 2019年9月3日
Homemade計測器による新規電子デバイス材料の特性評価

佐藤茉海, 長谷川晴紀, 三島康, 八木麻実子, 藤田実樹

SEMICON Japan 2018 The 高専＠ GAKKO 2018年12月12日
RF-MBE法によるエピタキシャルグラフェン上へのAlN成長

山崎隆弘, 畑泰希, 山根悠介, 関根佳明, 前田文彦, 日比野浩樹, 藤田実樹, 牧本俊樹

第76回応用物理学会

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

分解組立式電気自動車によるものづくり人材育成教育モデル開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2023年4月 - 2026年3月

秋田敏宏, 藤田実樹
ZnO/Ga2O3ヘテロ接合を利用した紫外線検出器の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2017年4月 - 2020年3月

藤田実樹
RF-MBE法によるグラフェン上へのエピタキシャルBN成長

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2014年4月 - 2017年3月

牧本俊樹, 堀越佳治, 藤田実樹, 日比野浩樹, 前田文彦, 関根佳明
高温で安定な太陽電池開発の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2011年4月 - 2015年3月

堀越佳治, 河原塚篤, 藤田実樹, 西永慈郎
シャッターシーケンス変調によるMBE成長Zn0の高品質化の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2005年 - 2006年

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