寺井慶和 (Yoshikazu Terai) - マイポータル

基本情報

所属: 九州工業大学大学院情報工学研究院物理情報工学研究系教授

連絡先: teraiphys.kyutech.ac.jp
J-GLOBAL ID: 200901084855952715
researchmap会員ID: 5000041446

外部リンク: http://brave.phys.kyutech.ac.jp/

研究キーワード

経歴

2015年

九州工業大学大学院情報工学研究院電子情報工学研究系教授
2015年

Professor,Department of Computer Science and Electronics,Faculty of Computer Science and Systems Engineering,Kyushu Institute of Technology

委員歴

2012年4月 - 現在

電子材料シンポジウム, 論文委員
2002年4月 - 現在

応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会, 会計，幹事
2021年6月 - 2022年3月

レーザー学会, プログラム委員
2014年1月 - 2016年12月

応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会, 委員長
2013年 - 2016年

応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会, 委員長
2007年9月 - 2015年9月

応用物理学会, プログラム委員

論文

Structural and piezoelectric properties of AlN thin films grown by pressure gradient sputtering

Yoshikazu Terai, Kengo Haraguchi, Ryo Ichinose, Hiroki Oota, and Ken Yonezawa

Japanese Journal of Applied Physics in press 2022年7月12日査読有り筆頭著者
Enhanced Valley Splitting of Exciton Emission in Colloidal PbSe Quantum Dots When the Interdot Distance Coincides with Onset of Förster Resonance Energy Transfer

Takahisa Omata, Hiroshi Asano, Masahiro Sakai, Yoshikazu Terai, and Masao Kita

Journal of Physical Chemistry Letters 12 3120-3126 2021年3月1日査読有り
Photoreflectance spectra of highly-oriented Mg2Si(111)//Si(111) films

Y. Terai, H. Hoshida, R. Kinoshita, A. Shevlyagin, I. Chernev and A. Gouralnik

Japanese Journal of Applied Physics : Conference Proceedings 8 011004/1-011004/4 2020年8月1日査読有り筆頭著者
Probing the Mg2Si/Si(111) heterojunction for photovoltaic applications

Alexander Shevlyagin, Igor Chernev, Nikolay Galkin, Andrey Gerasimenko, Anton Gutakovskii, Hirofumi Hoshida, Yoshikazu Terai, Naofumi Nishikawa, Keisuke Ohdaira

Solar Energy 211 383-395 2020年4月20日査読有り
Photoluminescence properties of polycrystalline β-FeSi2 grown by RF magnetron sputtering （共著）

Yoshikazu Terai, Hiroki Nishi and Naohiro Oka

Japanese Journal of Applied Physics 59 SFFC01 2020年1月30日査読有り筆頭著者
Polarized Raman spectra of β -FeSi<inf>2</inf> epitaxial film grown by molecular beam epitaxy

Terai Y., Yamaguchi H., Tsukamoto H., Murakoso N., Hoshida H.

AIP Advances 8(10) 2018年10月1日査読有り責任著者
Growth of Ru<inf>2</inf>Si<inf>3</inf> polycrystalline thin films by solid phase epitaxy in Ru-Si amorphous layers

Setojima K., Ikeda S., Ogi K., Terai Y.

Defect and Diffusion Forum 386 DDF 33-37 2018年1月査読有り責任著者
Growth of Sb-doped β-FeSi<inf>2</inf> epitaxial films and optimization of donor activation conditions

Eguchi H., Iinuma M., Hoshida H., Murakoso N., Terai Y.

Defect and Diffusion Forum 386 DDF 38-42 2018年1月査読有り責任著者
Identification of vibrational modes in BASi<inf>2</inf> epitaxial films by infrared and Raman spectroscopy

Hoshida H., Murakoso N., Suemasu T., Terai Y.

Defect and Diffusion Forum 386 DDF 43-47 2018年1月査読有り責任著者
飛行時間型を用いた仕事関数測定装置の開発

武藤正雄, 津野勝重, 米澤健, 寺井慶和, 西山洋

表面科学学術講演会要旨集 36 337 2016年1月査読有り責任著者
Characterization of Epitaxial Silicon Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures (450-600℃)

TAWARA Naotaka, OHMI Hiromasa, TERAI Yoshikazu, KAKIUCHI Hiroaki, WATANABE Heiji, FUJIWARA Yasufumi, YASUTAKE Kiyoshi

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 1094-1095 2006年9月13日査読有り
Excitonic Luminescence from Self-Organized Quantum Dots of CdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy

KURODA Shinji, TERAI Yoshikazu, TAKITA Koki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1998 236-237 1998年9月7日査読有り

MISC

289

Detection of local vibrational modes induced by intrinsic defects in undoped BaSi<inf>2</inf> light absorber layers using Raman spectroscopy

Sato T., Hoshida H., Takabe R., Toko K., Terai Y., Suemasu T.

Journal of Applied Physics 124(2) 025301 2018年7月14日査読有り
Detection of local vibrational modes induced by intrinsic defects in undoped BaSi2 light absorber layers using Raman spectroscopy

Takuma Sato, Hirofumi Hoshida, Ryota Takabe, Kaoru Toko, Yoshikazu Terai, Takashi Suemasu

Journal of Applied Physics 124 025301 2018年
Polarized Raman spectra of BaSi2 epitaxial film grown by molecular beam epitaxy

Yoshikazu Terai, Haruki Yamaguchi, Hiroaki Tsukamoto, Naoki Murakoso, Motoki Iinuma, Takashi Suemasu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(5) 05DD02/1-05DD02/4 2017年5月
Structural and electrical properties of β-FeSi2 polycrystalline films with low electron density

Yoshikazu Terai, Takahiko Higashi, Tetsu Hattori, Kazuya Ogi, Shuya Ikeda

Japanese Journal of Applied Physics 56(5) 05DD03/1-05DD03/5 2017年5月
Polarized Raman spectra of BaSi2 epitaxial film grown by molecular beam epitaxy

Yoshikazu Terai, Haruki Yamaguchi, Hiroaki Tsukamoto, Naoki Murakoso, Motoki Iinuma, Takashi Suemasu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(5) 05DD02/1-05DD02/4 2017年5月
Structural and electrical properties of beta-FeSi2 polycrystalline films with low electron density

Yoshikazu Terai, Takahiko Higashi, Tetsu Hattori, Kazuya Ogi, Shuya Ikeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(5) 05DD03/1-05DD03/5 2017年5月
A room-temperature-operated Si LED with β-FeSi2 nanocrystals in the active layer: μW emission power at 1.5 μm

A. V. Shevlyagin, D. L. Goroshko, E. A. Chusovitin, S. A. Balagan, S. A. Dotcenko, K. N. Galkin, N. G. Galkin, T. S. Shamirzaev, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev …

Journal of Applied Physics 121(11) 113101/1-113101/9 2017年3月
A room-temperature-operated Si LED with ss-FeSi2 nanocrystals in the active layer: mu W emission power at 1.5 mu m

A. V. Shevlyagin, D. L. Goroshko, E. A. Chusovitin, S. A. Balagan, S. A. Dotsenko, K. N. Galkin, N. G. Galkin, T. S. Shamirzaev, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev …

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 121(11) 113101/1-113101/9 2017年3月
Stress-induced indirect to direct band gap transition in β -FeSi<inf>2</inf>nanocrystals embedded in Si

Shevlyagin A, Goroshko D, Chusovitin E, Balagan S, Dotsenko S, Galkin K, Galkin N, Shamirzaev T, Gutakovskii A, Iinuma M …

AIP Conference Proceedings 1874 2017年
Photoluminescence Spectroscopy Investigation of Epitaxial Si/GaSb Nanocrystals/Si Heterostructure

Dmitry L. Goroshko, Alexander V. Shevlyagin, Evgeniy A. Chusovitin, Sergey A. Dotsenko, Anton K. Gutakovskii, M. Iinuma, Y. Terai, Evgeniy Yu. Subbotin, Nikolay G. Galkin

PROCEEDINGS OF INTERNATIONAL CONFERENCE ON METAMATERIALS AND NANOPHOTONICS (METANANO-2017) 1874 2017年
Growth of p-type β-FeSi2 polycrystalline films by RF magnetron sputtering

Shuya Ikeda, Kazuya Ogi, Tetsu Hattori, Takahiko Higashi, Yoshikazu Terai

Japanese Journal of Applied Physics : Conference Proceedings 5 011204/1-011204/4 2017年
Dependence of direct transition energy on growth temperature in β-FeSi2 epitaxial films

Motoki Iinuma, Hiroaki Tsukamoto, Naoki Murakoso, Haruki Yamaguchi, Yoshikazu Terai

Japanese Journal of Applied Physics : Conference Proceedings 5 011106/1-011106/5 2017年
Stress-Induced Indirect to Direct Band Gap Transition in beta-FeSi2 Nanocrystals Embedded in Si

A. V. Shevlyagin, D. L. Goroshko, E. A. Chusovitin, S. A. Balagan, S. A. Dotsenko, K. N. Galkin, N. G. Galkin, T. S. Shamirzaev, A. K. Gutakovskii, M. Iinuma …

PROCEEDINGS OF INTERNATIONAL CONFERENCE ON METAMATERIALS AND NANOPHOTONICS (METANANO-2017) 1874 2017年
Photoluminescence Spectroscopy Investigation of Epitaxial Si/GaSb Nanocrystals/Si Heterostructure

Dmitry L. Goroshko, Alexander V. Shevlyagin, Evgeniy A. Chusovitin, Sergey A. Dotsenko, Anton K. Gutakovskii, M. Iinuma, Y. Terai, Evgeniy Yu. Subbotin, Nikolay G. Galkin

PROCEEDINGS OF INTERNATIONAL CONFERENCE ON METAMATERIALS AND NANOPHOTONICS (METANANO-2017) 1874 2017年
Growth of p-type β-FeSi2 polycrystalline films by RF magnetron sputtering

Shuya Ikeda, Kazuya Ogi, Tetsu Hattori, Takahiko Higashi, Yoshikazu Terai

Japanese Journal of Applied Physics : Conference Proceedings 5 011204/1-011204/4 2017年
Dependence of direct transition energy on growth temperature in β-FeSi2 epitaxial films

Motoki Iinuma, Hiroaki Tsukamoto, Naoki Murakoso, Haruki Yamaguchi, Yoshikazu Terai

Japanese Journal of Applied Physics : Conference Proceedings 5 011106/1-011106/5 2017年
Time-resolved photoluminescence properties of ion-beam-synthesized beta-FeSi2 and Si-implanted Si

Yoshikazu Terai, Yoshihito Maeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(7) 07JB05-1-07JB05-5 2015年7月
In situ Eu doping into AlxGa1-xN grown by organometallic vapor phase epitaxy to improve luminescence properties

Atsushi Koizumi, Kosuke Kawabata, Dong-gun Lee, Atsushi Nishikawa, Yoshikazu Terai, Hironori Ofuchi, Tetsuo Honma, Yasufumi Fujiwara

OPTICAL MATERIALS 41 75-79 2015年3月
In situ Eu doping into AlxGa1-xN grown by organometallic vapor phase epitaxy to improve luminescence properties

Atsushi Koizumi, Kosuke Kawabata, Dong-gun Lee, Atsushi Nishikawa, Yoshikazu Terai, Hironori Ofuchi, Tetsuo Honma, Yasufumi Fujiwara

OPTICAL MATERIALS 41 75-79 2015年3月
Foreword: Semiconducting silicides green technology

Terai Y

Japanese Journal of Applied Physics 54(7) 2015年

もっとみる

書籍等出版物

シリサイド系半導体の科学と技術

裳華房 2014年 (ISBN: 9784785329204)

講演・口頭発表等

Photoresponse properties of β-FeSi2 pn homojunction grown by molecular beam epitaxy

Hidekazu Kanda, Shintaro Ishitobi and Yoshikazu Terai

Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials
Growth of Ru-doped β-FeSi2 polycrystalline thin films by RF magnetron sputtering

Ren Yoshihara, Yuya Oishi and Yoshikazu Terai

Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials
Investigation of Raman depolarization ratio in topological insulator Bi2Se3 epitaxial films

Tomohiro Kondo, Takamu Nozaki, Ryuya Kotabe and Yoshikazu Terai

Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials
Growth of AlN thin films by pressure gradient sputtering method

Y. Terai, K. Haraguchi, R. Ichinose, H. Ohta, K. Yonezawa

14th International symposium on advanced plasma science and its applications for nitride and nanomaterials
Growth and optical properties of ternary iron silicides

Yoshikazu Terai

The Sixth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials 招待有り
低温1段階法によるトポロジカル絶縁体Bi2Se3膜のエピタキシャル成長

野崎孝武, 近藤智裕, 寺井慶和

第12回半導体材料・デバイスフォーラム
Growth of β-FeSi2/Si modulation-doped heterostructures

Kazuki Yamato, Hidekazu Kanda and Yoshikazu Terai

9 th International Symposium on Applied Engineering and Sciences
Thickness dependence of polarized Raman spectra in topological insulator Bi2Se3 epitaxial films

Takamu Nozaki, Kondo Tomohiro and Yoshikazu Terai

9 th International Symposium on Applied Engineering and Sciences
Growth of β-FeSi2/Si modulation-doped heterostructures

Kazuki Yamato, Hidekazu Kanda and Yoshikazu Terai

9 th International Symposium on Applied Engineering and Sciences
Thickness dependence of polarized Raman spectra in topological insulator Bi2Se3 epitaxial films

Takamu Nozaki, Kondo Tomohiro and Yoshikazu Terai

9 th International Symposium on Applied Engineering and Sciences
β-FeSi2/Si変調ドーピング構造の作製と電気特性評価

山戸一輝, 神田秀和, 寺井慶和

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
Si/β-(Fe1-xRux)Si2/Si 多結晶積層構造における1.5 μm発光の寿命評価

吉原怜, 寺井慶和

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
偏光ラマンスペクトルによるトポロジカル絶縁体Bi2Se3エピタキシャル膜の評価

近藤智裕, 野崎孝武, 寺井慶和

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
トポロジカル絶縁体Bi2Se3 エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトルの膜厚依存性

野崎孝武, 近藤智裕, 寺井慶和

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会
β-FeSi2 pnホモ接合における分光感度の素子構造依存性

神田秀和, 山戸一輝, 寺井慶和

2021年度応用物理学会九州支部学術講演会
圧力勾配スパッタリング法によるAlN膜の作製と構造評価

原口謙吾, 市瀬亮, 太田裕己, 米澤健, 寺井慶和

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
トポロジカル絶縁体Bi2Se3の低温エピタキシャル成長と電気特性評価

野崎孝武, 近藤智裕, 太田裕己, 米澤健, 寺井慶和

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
β-(Fe1-xRux)Si2多結晶薄膜の作製と発光特性評価

吉原怜, 西大樹, 寺井慶和

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
β-FeSi2 pnホモ接合素子の作製と光応答特性

木下涼太, 山戸一輝, 寺井慶和

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
Growth of AlN thin films by pressure gradient sputtering method

Y. Terai, K. Haraguchi, R. Ichinose, H. Ohta, K. Yonezawa

14th International symposium on advanced plasma science and its applications for nitride and nanomaterials

もっとみる

所属学協会

Works(作品等)

バンド軌道制御によるシリサイド半導体の光学機能創出

2018年 - 2020年
異方性ひずみ導入によるシリサイド半導体のバンド構造制御

2014年 - 2017年
希土類添加窒化物半導体における赤色発光機能の解明／制御による高輝度発光素子の開発

2012年 - 2017年

共同研究・競争的資金等の研究課題

異方性ひずみ導入によるシリサイド半導体のバンド構造制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2014年4月 - 2017年3月

寺井慶和
希土類添加窒化物半導体における赤色発光機能の解明／制御による高輝度発光素子の開発

科学研究費助成事業基盤研究(S) 2012年4月 - 2017年3月
-
-