論文

査読有り 最終著者 責任著者
2020年9月

A Compact device model for SiC MOSFETs valid for wide-temperature range

Proc. IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA-Asia)
  • Kohei Shimozato
    • ,
  • Takashi Sato
記述言語
英語
掲載種別
DOI
10.1109/WiPDAAsia49671.2020.9360251
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DOI
https://doi.org/10.1109/WiPDAAsia49671.2020.9360251
ID情報
  • DOI : 10.1109/WiPDAAsia49671.2020.9360251
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