論文

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2006年

Silicon Self-Diffusion in Heavily B-Doped Si Using Highly Pure ³⁰Si Epitaxial Layer

Proc. Int. Symp. Silicon Materials Science and Technology X (Edited by H. Huff, L. Fabry, D. Gilles, U. Goesele, T. Hattori, W. Huber, S. Ikeda, H. Iwai, P. Packan, H. Richter, M. Rodder, E. Weber and R. Wise, The Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 2006)

S. Matsumoto
S. R. Aid
S. Seto
K. Toyonaga
Y. Nakabayashi
M. Sakuraba
Y. Shimamune
Y. Hashiba
J. Murota
K. Wada
T. Abe

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巻: 2
号: 2
開始ページ: 287
終了ページ: 297
記述言語: 英語
掲載種別: 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI: 10.1149/1.2195666

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DOI: https://doi.org/10.1149/1.2195666

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DOI : 10.1149/1.2195666

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