招待有り 2017年11月1日 価電子帯の異方性を考慮したp型4H-SiCにおけるHall因子・正孔移動度の理論解析 先進パワー半導体分科会 第4回講演会 田中 一, 浅田 聡志, 木本 恒暢, 須田 淳 記述言語 会議種別 口頭発表（招待・特別）
