産業財産権

特許権

窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体、及び発光素子

  • 上杉謙次郎
  • ,
  • 三宅秀人

出願番号
特願2018-192188
出願日
2018年10月10日
公開番号
特開2020-061473
公開日
2020年4月16日