Ni/SiCショットキー接合による放射線から電気エネルギーへの変換を、特に$^{237}$Am (30keV)及び$^{241}$Am (60keV)の$\gamma$線に着目して調べた。変換効率は吸収量ベースで最大1.6\%であった。SiCは比較的放射線耐性があることから、これは放射性廃棄物からの$\gamma$線エネルギーの再生に利用できる可能性を示している。また、高X線光電子分光(HAXPES)及び二次イオン質量分析法(SIMS)を組み合わせることで、接合界面にNi-Si化合物が生成されると効率が低下することも分かった。これは電気測定に加えてHAXPES及びSIMSの2つの手法を組み合わせて判明したことであり、今後のデバイス作成プロセスへのフィードバックが期待できる結果である。