共同研究・競争的資金等の研究課題

2012年4月 - 2015年3月

パルスグロープラズマの高密度化と複合表面処理プロセスへの利用

日本学術振興会  科学研究費助成事業 基盤研究(C)  基盤研究(C)

課題番号
24540530
体系的課題番号
JP24540530
配分額
(総額)
5,070,000円
(直接経費)
3,900,000円
(間接経費)
1,170,000円

パルスパワーにより大容量・高密度グロー放電プラズマを、低圧から大気圧まで広い気圧範囲で生成し、材料表面処理などへ活用することを目的として、パルス電源の開発と大容量・高密度グロープラズマの生成や、それをスラスターや、高分子材料の表面処理、DLC高速成膜などに活用した。プラズマ生成用電源では、IGBTスイッチング電源を開発した。得られたグロープラズマは、発散磁場などを利用して空間的に制御を行った。プラズマ密度は10e18m-3以上で、電子温度は1-9eVである。このプラズマで得られたスラストは15mNで、DLC成膜でもSP3/SP2比で0.55などのアモルファスカーボン成膜を実現した。

リンク情報
Kaken Url
https://kaken.nii.ac.jp/file/KAKENHI-PROJECT-24540530/24540530seika.pdf
KAKEN
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24540530
ID情報
  • 課題番号 : 24540530
  • 体系的課題番号 : JP24540530