2012年4月 - 2015年3月
パルスグロープラズマの高密度化と複合表面処理プロセスへの利用
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 基盤研究(C)
パルスパワーにより大容量・高密度グロー放電プラズマを、低圧から大気圧まで広い気圧範囲で生成し、材料表面処理などへ活用することを目的として、パルス電源の開発と大容量・高密度グロープラズマの生成や、それをスラスターや、高分子材料の表面処理、DLC高速成膜などに活用した。プラズマ生成用電源では、IGBTスイッチング電源を開発した。得られたグロープラズマは、発散磁場などを利用して空間的に制御を行った。プラズマ密度は10e18m-3以上で、電子温度は1-9eVである。このプラズマで得られたスラストは15mNで、DLC成膜でもSP3/SP2比で0.55などのアモルファスカーボン成膜を実現した。
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- 課題番号 : 24540530
- 体系的課題番号 : JP24540530