篠原尋史 (Hirofumi Shinohara) - マイポータル

基本情報

所属: 早稲田大学理工学術院大学院情報生産システム研究科特任教授

学位: 博士

研究者番号: 50531810
J-GLOBAL ID: 201501067875355808
researchmap会員ID: 7000012046

研究キーワード

研究分野

経歴

2015年3月 - 現在

早稲田大学, 大学院情報生産システム研究科 (IPS), 教授
2014年8月 - 2015年3月

株式会社半導体理工学研究センター(STARC), 執行役員
2010年4月 - 2014年7月

ルネサスエレクトロニクス株式会社
2009年7月 - 2014年7月

株式会社半導体理工学研究センター(STARC) 出向, 執行役員
2003年4月 - 2010年3月

株式会社ルネサステクノロジ
1978年4月 - 2003年3月

三菱電機株式会社

学歴

2005年4月 - 2008年3月

京都大学, 大学院情報学研究科, 通信情報システム専攻
1976年4月 - 1978年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻
1972年4月 - 1976年3月

京都大学, 工学部, 電子工学科

委員歴

2016年10月 - 現在

IEEE VLSI-DAT, Technical Program Committee
2017年3月 - 2021年2月

IEEE ISSCC, International Technical Program Committee

論文

114

A 100-Bit-Output Modeling Attack-Resistant SPN Strong PUF with Uniform and High-Randomness Response

Kunyang Liu, Yichen Tang, Shufan Xu, Ruilin Zhang, Hirofumi Shinohara

2023 IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC) 2023年4月
V_SS-Bias-Based Measurement of Random Telegraph Noise in Hybrid SRAM PUF after Hot Carrier Injection Burn-in

Kunyang Liu, Yichen Tang, Shufan Xu, Hirofumi Shinohara

2023 35th International Conference on Microelectronic Test Structure (ICMTS) 2023年3月27日
Effect of Quadruple Size Transistor on SRAM Physically Unclonable Function Stabilized by Hot Carrier Injection

Shufan Xu, Kunyang Liu, Yichen Tang, Ruilin Zhang, Hirofumi Shinohara

2023 35th International Conference on Microelectronic Test Structure (ICMTS) 2023年3月27日
A 2.17-pJ/b 5b-Response Attack-Resistant Strong PUF with Enhanced Statistical Performance

Kunyang Liu, Gen Li, Zihan Fu, Xuanzhen Wang, Hirofumi Shinohara

ESSCIRC 2022- IEEE 48th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC) 2022年9月19日
Statistical Modeling of SRAM PUF Cell Mismatch Shift Distribution After Hot Carrier Injection Burn-In

Kunyang Liu, Kiyoshi Takeuchi, Hirofumi Shinohara

2022 IEEE 34th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) 2022年3月21日
A 0.186-pJ per Bit Latch-Based True Random Number Generator Featuring Mismatch Compensation and Random Noise Enhancement

Ruilin Zhang, Xingyu Wang, Kunyang Liu, Hirofumi Shinohara

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS 2022年3月
A 0.116pJ/bit Latch-Based True Random Number Generator with Static Inverter Selection and Noise Enhancement

Xingyu Wang, Ruilin Zhang, Yuxin Wang, Kunyang Liu, Xuanzhen Wang, Hirofumi Shinohara

2022 International Symposium on VLSI Design, Automation and Test, VLSI-DAT 2022 - Proceedings 2022年
A 0.5-V Hybrid SRAM Physically Unclonable Function Using Hot Carrier Injection Burn-In for Stability Reinforcement

Kunyang Liu, Xinpeng Chen, Hongliang Pu, Hirofumi Shinohara

IEEE Journal of Solid-State Circuits 56(7) 2193-2204 2021年7月査読有り最終著者
Energy-Efficient Post-Processing Technique Having High Extraction Efficiency for True Random Number Generators

Ruilin Zhang, Xingyu Wang, Hirofumi Shinohara

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E104C(7) 300-308 2021年7月
A 0.186-pJ per Bit Latch-Based True Random Number Generator with Mismatch Compensation and Random Noise Enhancement

Ruilin Zhang, Xingyu Wang, Luying Wang, Xinpeng Chen, Fan Yang, Kunyang Liu, Hirofumi Shinohara

2021 Symposium on VLSI Circuits 2021年6月13日
36.3 A Modeling Attack Resilient Strong PUF with Feedback-SPN Structure Having <0.73% Bit Error Rate through In-Cell Hot-Carrier Injection Burn-In

Kunyang Liu, Zihan Fu, Gen Li, Hongliang Pu, Zhibo Guan, Xingyu Wang, Xinpeng Chen, Hirofumi Shinohara

Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference 64 502-504 2021年2月13日
An Inverter-Based True Random Number Generator with 4-bit Von-Neumann Post-Processing Circuit

Xingyu Wang, Hongjie Liu, Ruilin Zhang, Kunyang Liu, Hirofumi Shinohara

Midwest Symposium on Circuits and Systems 2020-August 285-288 2020年8月
A 373-F-2 0.21%-Native-BER EE SRAM Physically Unclonable Function With 2-D Power-Gated Bit Cells and V-SS Bias-Based Dark-Bit Detection

Kunyang Liu, Yue Min, Xuan Yang, Hanfeng Sun, Hirofumi Shinohara

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS 55(6) 1719-1732 2020年6月
A 0.5-V 2.07-fJ/b 497-F² EE/CMOS Hybrid SRAM Physically Unclonable Function with < 1E-7 Bit Error Rate Achieved through Hot Carrier Injection Burn-in

Kunyang Liu, Hongliang Pu, Hirofumi Shinohara

Proceedings of the Custom Integrated Circuits Conference 2020-March 2020年3月
A 0.5-V Hybrid SRAM Physically Unclonable Function Using Hot Carrier Injection Burn-In for Stability Reinforcement

Kunyang Liu, Xinpeng Chen, Hongliang Pu, Hirofumi Shinohara

IEEE Journal of Solid-State Circuits 56(7) 2193-2204 2020年
A 0.5-V 2.07-0/b 497-F-2 EE/CMOS Hybrid SRAM Physically Unclonable Function with < 1E-7 Bit Error Rate Achieved through Hot Carrier Injection Burn-in

Kunyang Liu, Hongliang Pu, Hirofumi Shinohara

2020 IEEE CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE (CICC) 2020年
A CMOS 0.85-V 15.8-nW current and voltage reference without resistors

Jing Wang, Hirofumi Shinohara

2019 International Symposium on VLSI Design, Automation and Test, VLSI-DAT 2019 2019年4月1日
A 373 F ² 2D Power-Gated EE SRAM Physically Unclonable Function with Dark-Bit Detection Technique

Kunyang Liu, Yue Min, Xuan Yang, Hanfeng Sun, Hirofumi Shinohara

2018 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, A-SSCC 2018 - Proceedings 161-164 2018年12月14日
High-throughput von Neumann post-processing for random number generator

Ruilin Zhang, Sijia Chen, Chao Wan, Hirofumi Shinohara

2018 International Symposium on VLSI Design, Automation and Test, VLSI-DAT 2018 1-4 2018年6月5日
Measurement of Static Random Access Memory Power-Up State Using an Addressable Cell Array Test Structure

Kiyoshi Takeuchi, Tomoko Mizutani, Hirofumi Shinohara, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING 30(3) 209-215 2017年8月

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MISC

不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM (集積回路)

水谷朋子, 竹内潔, 更屋拓哉, 篠原尋史, 小林正治, 平本俊郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(167) 49-54 2017年7月31日
不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM (情報センシング)

水谷朋子, 竹内潔, 更屋拓哉, 篠原尋史, 小林正治, 平本俊郎

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 41(25) 49-54 2017年7月
0.5V動作低エネルギー回路と応用

篠原尋史

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 112(170) 23-28 2012年7月26日
ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM

森脇真一, 川澄篤, 鈴木利一, 山本安衛, 宮野信治, 篠原尋史, 桜井貴康

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 112(15) 67-71 2012年4月16日
低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

更田裕司, 平入孝二, 安福正, 高宮真, 野村昌弘, 篠原尋史, 桜井貴康

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 111(188) 127-132 2011年8月18日
プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM

薮内誠, 新居浩二, 塚本康正, 大林茂樹, 今岡進, 山上由展, 石倉聡, 寺野登志夫, 里見勝治, 赤松寛範 …

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(139) 17-21 2008年7月10日
招待講演 A 65nm embedded SRAM with wafer level burn-in mode, leak-bit redundancy and E-trim fuse for known good die (集積回路)

Ohbayashi Shigeki, Yabuuchi Makoto, Kono Kazushi, ODA Yuji, IMAOKA Susumu, USUI Keiichi, YONEZU Toshiaki, IWAMOTO Takeshi, NII Koji, TSUKAMOTO Yasumasa …

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 107(1) 59-64 2007年4月5日
局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法

塚本康正, 新居浩二, 今岡進, 小田祐士, 大林茂樹, 薮内誠, 牧野博之, 石橋孝一郎, 篠原尋史

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 106(2) 95-100 2006年4月6日

書籍等出版物

メモリデバイスイメージセンサ

篠原尋史 (担当:共著, 範囲:2.2 SRAM)

丸善株式会社 2009年12月

講演・口頭発表等

[特別講演] A 373 F2 2D Power-Gated EE SRAM Physically Unclonable Function (PUF) with Dark-Bit Detection Technique

Kunyang LIU, Yue MIN, Xuan YANG, Hanfeng SUN, Hirofumi SHINOHARA

信学技報 ICD 2019年4月
Compensation of Temperature Induced Flipping-Bits in CMOS SRAM PUF by NMOS Body-Bias

Xuanhao ZHANG, Xiang CHEN, Hanfeng SUN, Hirofumi SHINOHARA

信学技報 HWS 2018年8月
[招待講演] 情報セキュリティのためのランダム回路

篠原尋史

信学技報 ICD 2018年4月招待有り

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

暗号レスでIoT認証を軽量にするストロングPUFの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2021年4月 - 2024年3月

篠原尋史
初期状態設定によるセキュリティー用自然由来データの高品質化の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2017年4月 - 2020年3月

篠原尋史

篠原尋史

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研究キーワード

研究分野

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学歴

委員歴

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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