特許権 ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子 独立行政法人産業技術総合研究所 山田 浩之, 向 平華, 澤 彰仁, 井上 公, 佐藤 弘, 浅沼 周太郎, 赤穗 博司 出願番号 特願2010-264199 出願日 2010年11月26日 公開番号 特開2012-114373 公開日 2012年6月14日 特許番号/登録番号 特許第5633804号 登録日 発行日 2014年10月24日 リンク情報 J-GLOBALhttps://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201403072334557916URLhttp://jglobal.jst.go.jp/public/201403072334557916 ID情報 J-Global ID : 201403072334557916
