永沼 博

規則合金のヘテロエピタキシャル成長
高品質な磁気抵抗素子を得るためには高度に制御されたエピタキシャル成長技術を確立する必要がある。r.f.およびd.c.マグネトロンスパッタ法を用いて規則合金および酸化物(極)薄膜のエピタキシャル成長のメカニズムの研究を行っている。

強的秩序とその操作に関わる研究
強誘電体およびマルチフェロイクスなど外場との相互作用の強い酸化物を用いた接合および界面を作製し、新しいスピン依存伝導現象、2次元電子ガスのスピン軌道相互作用を利用した高効率スピン-電荷変換に関わる研究を行っている。また、室温で動作する新規マルチフェロイックスの探索を行っている。

高周波スピンダイナミクス
スピントランスファートルクなどを利用した高周波スピンダイナミクスの研究を行っている。特に、高い結晶磁気異方性を有するL10規則合金を用いた強磁性トンネル接合素子において高周波スピンダイナミクスを電気的に検出し、不揮発性磁気メモリの高速動作時の物理的現象の理解および次世代の高周波スピン発振・検波の研究開発を行っている。

STT, SOT-MRMA集積デバイス
CMOSと3次元構造としたSTT, SOT-MRAM集積デバイスの実用化研究を行っている。サブナノ秒の高速磁化反転特性およびデータ熱安定性を300mmシリコンウェハー上に作製したSTT,SOT-MRAM素子を用いて評価している。また、マイクロマグネティックシミュレーションによる解析も行っている。