
永沼 博
ナガヌマ ヒロシ (Hiroshi Naganuma)
更新日: 10:52
基本情報
- 所属
- 東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター 研究開発部門 准教授
- 工学部電子情報物理工学科
- スピントロニクス学術連携センターCSRN
- 先端スピントロニクス研究開発センターCSIS
- 学位
-
博士(工学)(Osaka University)
- J-GLOBAL ID
- 200901010307751821
- 外部リンク
規則合金のヘテロエピタキシャル成長
高品質な磁気抵抗素子を得るためには高度に制御されたエピタキシャル成長技術を確立する必要がある。r.f.およびd.c.マグネトロンスパッタ法を用いて規則合金および酸化物(極)薄膜のエピタキシャル成長のメカニズムの研究を行っている。
強的秩序とその操作に関わる研究
強誘電体およびマルチフェロイクスなど外場との相互作用の強い酸化物を用いた接合および界面を作製し、新しいスピン依存伝導現象、2次元電子ガスのスピン軌道相互作用を利用した高効率スピン-電荷変換に関わる研究を行っている。また、室温で動作する新規マルチフェロイックスの探索を行っている。
高周波スピンダイナミクス
スピントランスファートルクなどを利用した高周波スピンダイナミクスの研究を行っている。特に、高い結晶磁気異方性を有するL10規則合金を用いた強磁性トンネル接合素子において高周波スピンダイナミクスを電気的に検出し、不揮発性磁気メモリの高速動作時の物理的現象の理解および次世代の高周波スピン発振・検波の研究開発を行っている。
STT, SOT-MRMA集積デバイス
CMOSと3次元構造としたSTT, SOT-MRAM集積デバイスの実用化研究を行っている。サブナノ秒の高速磁化反転特性およびデータ熱安定性を300mmシリコンウェハー上に作製したSTT,SOT-MRAM素子を用いて評価している。また、マイクロマグネティックシミュレーションによる解析も行っている。
研究分野
8委員歴
11-
2020年10月 - 現在
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2019年1月 - 現在
-
2018年10月 - 現在
-
2018年9月 - 現在
受賞
9-
2014年3月
-
2013年1月
主要な論文
215-
AIP Advanced 10(7) 075106-1 - 075106-7 2020年7月 査読有り
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Applied Physics Letters 116 173101-1 - 173101-5 2020年4月27日 査読有り
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SCIENTIFIC REPORTS 7 46498-1 - 46498-11 2017年4月 査読有り
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NATURE MATERIALS 15(12) 1261 - 1266 2016年12月 査読有り
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APPLIED PHYSICS LETTERS 109(13) 132402-1 - 132402-4 2016年9月 査読有り
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SCIENTIFIC REPORTS 5 9348-1 - 9348-8 2015年4月 査読有り
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NANO LETTERS 15(1) 623 - 628 2015年1月 査読有り
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APPLIED PHYSICS LETTERS 93(5) 052901-1 - 052901-3 2008年8月 査読有り
MISC
10-
Japanese Journal of Applied Physics 57 090201 - 090201 2018年6月
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まてりあ 54(8) 383 - 389 2015年8月1日
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2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG) 2015年
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2015 IEEE MAGNETICS CONFERENCE (INTERMAG) 2015年
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Activity Report 2011 of SRL-ISSP 9 - 10 2012年10月
書籍等出版物
3講演・口頭発表等
89-
特定領域「スピン流の創出と制御」研究会 2008年7月23日
-
International Symposium on Integrated Feroelectrics 2008年6月12日
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特定領域研究会 第二回トピカルミーティング 2008年6月7日
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第25回強誘電体応用会議 2008年5月30日
-
第25回強誘電体応用会議 2008年5月30日
担当経験のある科目(授業)
5主要な所属学協会
7-
2021年1月 - 現在
-
2015年1月 - 2020年12月
産業財産権
9学術貢献活動
1メディア報道
7-
2015年7月19日
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2014年7月20日
-
2013年7月21日
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河北新報(朝刊) 2013年7月3日 新聞・雑誌
その他
13-
2016年2月 - 2016年2月YBCO高温超電導体にスピンポンピング法によりスピン流を注入する。Tc近傍でTcがスピン注入の影響により変化することが期待されており、Tcの新しい制御方法として注目されている。
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2014年1月 - 2014年1月BiFeO3ペロブスカイト構造はバルクではR3cであるが、エピタキシャル薄膜となると基板からの応力により結晶対称性が変化することが知られている。しかし、これまでに高精度の構造因子計算を行い、構造解析を行った例は少ない。また、電子線回折はX線回折に比べて波長が短いため広い逆格子空間の実験が可能である。本共同研究では日本側が高品質な試料を提供し、米国側が高精度の構造解析を行い、これまで明らかになってない結晶対称性について正確に評価する技術を確立することを目的とする。
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2013年4月 - 2013年4月垂直磁気異方性を自由層としたトンネル磁気抵抗素子およびマルチフェロイックをもちいた新規トンネル磁気抵抗素子によりこれまでにない新しい機能性スピンデバイスを創製することを目的とする。
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2012年4月 - 2012年4月磁気センサーをもちいて微弱な脳磁図および心磁図を描くことを目的としており、現行のSQUIDの代替を目的としている。
社会貢献活動
7