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山根 啓輔
Keisuke Yamane
更新日: 04/23
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産業財産権
8
表示件数
20件
20件
50件
100件
特許6923900 希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法
山根 啓輔
特許第6013743号 半導体装置の製造方法
古家 大士, 東 正信, 只友 一行, 岡田 成仁, 山根 啓輔
特開2016-147787 半導体基板及びその製造方法、並びにそれに用いる気相成長装置
岡田 成仁, 只友 一行, 山根 啓輔
特開2014-196230 窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法
橋本 健宏, 古家 大士, 只友 一行, 岡田 成仁, 山根 啓輔
WO2014-136416 半導体装置の製造方法及びIII−V族半導体の結晶成長方法
山根 啓輔, 只友 一行, 岡田 成仁
特開2013-193918 窒化ガリウム結晶自立基板及びその製造方法
古家 大士, 東 正信, 只友 一行, 岡田 成仁, 山根 啓輔
特開2013-175652 半導体装置の製造方法
古家 大士, 東 正信, 只友 一行, 岡田 成仁, 山根 啓輔
特開2013-173641 窒化ガリウム結晶積層基板及びその製造方法
古家 大士, 東 正信, 只友 一行, 岡田 成仁, 山根 啓輔
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