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加藤 勇
カトウ イサム (Isamu Kato)
更新日: 2022/09/20
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委員歴
受賞
MISC
講演・口頭発表等
所属学協会
Works(作品等)
共同研究・競争的資金等の研究課題
Works(作品等)
120
表示件数
20件
20件
50件
100件
a-Si:H膜成長中のイオン衝撃効果について(III)
1998年
磁界印加型同軸線路形MPCVD装置におけるH
2
/SiH
4
プラズマを用いたa-Si:H膜の作製
1998年
Effect of Ion Bombardment during a-Si : H Film Growth(III)
1998年
Fabrication of a-Si : H film Using H
2
-SiH
4
Plasma in Magnetic Field Applied Coaxial Line Type MPCVD System
1998年
Fabrication of a-Si : H Film Using H
2
-SiH
4
Plasma by Longitubinal Magnetic Field Applied MPCVD System
1998年
Si Luminescence Material Fabricated Using MDCVD Coaxial Line Type
1998年
Effect of Bombardment During a-Si : H Film Growth
1998年
二重管式同軸線路形MPCVD装置における水素プラズマへの磁界印加の効果(II)
1997年
a-Si:H膜成長中のイオン衝撃効果について(II)
1997年
2重管式同軸線路型MPCVDを用いて作製したSi系発光材料の研究(II)
1997年
エバネッセント波を用いた放電停止後の半導体極薄膜表面変化のその場観測
1997年
二重管式同軸線路形MPCVD装置における水素プラズマの磁界印加の効果
1997年
同軸線路形MPCVD装置において印加磁界がN
2
プラズマに及ぼす効果(IV)
1997年
2重管式同軸線路型MPCVDを用いて作製したSi系発生材料の研究
1997年
a-Si:H膜成長中のイオン衡撃効果について
1997年
Effect of Applying Magnetic Field to H
2
Plasma in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System(II)
1997年
Effect of Ion Bombardment during a-Si : H Film Growth(II)
1997年
The study of Si luminescence material fabricated using the double tubed coaxial line type MPCVD(II)
1997年
Effects of Applying Magnetic Field to H
2
Plasma in Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD System
1997年
The study of Si Luminescence Material Fabricated Using the Double Tubed Coaxial Line Type MPCVD
1997年
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