ポストスケーリング世代における新規IV族系半導体MOSFETの実現に向けて、高移動度伸張歪Geチャネル、高誘電率、低リークゲート絶縁膜/Ge構造、Ge表面窒化、仕事関数制御された均一金属合金ゲート電極およびこれらの接合界面に関する研究を行った。新規材料探索、要素プロセス構築、およびその統合に関する技術開発を達成した。