大島孝仁 (Takayoshi Oshima) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人物質・材料研究機構主任研究員

学位: 博士（工学）(2010年3月京都大学)

連絡先: OSHIMA.Takayoshinims.go.jp
研究者番号: 60583151
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
J-GLOBAL ID: 201801019877235719
researchmap会員ID: B000292131

研究キーワード

研究分野

経歴

2025年4月 - 現在

国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員
2023年4月 - 2025年3月

物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主任研究員
2021年11月 - 2023年3月

物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員
2019年4月 - 2021年10月

株式会社FLOSIFA, 研究開発部, 主任研究員
2018年4月 - 2019年3月

佐賀大学, 理工学部電気電子工学科, 准教授
2016年2月 - 2018年3月

佐賀大学, 大学院工学系研究科電気電子工学専攻, 特任助教
2010年4月 - 2016年1月

東京工業大学, 大学院理工学研究科応用化学専攻, 助教
2008年4月 - 2010年3月

日本学術振興会, 特別研究員

学歴

2007年4月 - 2010年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻博士課程
2005年4月 - 2007年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻修士課程
2001年4月 - 2005年3月

京都大学, 工学部, 電気電子工学科学士課程

論文

HCl-gas etching behavior of (001) β-Ga2O3 under oxygen supply

Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima

Science and Technology of Advanced Materials 26(1) 2546285 2025年9月3日査読有り
Fabrication of β-Ga2O3/air-gap structures on (001) β-Ga2O3 using HCl gas etching

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Science and Technology of Advanced Materials: Methods 5(1) 2554046 2025年9月3日査読有り
Step-and-terrace surface formation on (001) β-Ga2O3 by wet etching using 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) lithographic developer

Takayoshi Oshima

Japanese Journal of Applied Physics 64(8) 088001 2025年8月6日査読有り
Fabrication of air bridges on (100) β-Ga2O3 using crystallographic HCl gas etching

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

AIP Advances 15(5) 055207 2025年5月5日査読有り
Near-vertical plasma-free HCl gas etching on (011) β-Ga₂O₃

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Japanese Journal of Applied Physics 64(1) 018003-018003 2025年1月1日査読有り
Formation of GaN mesas with reverse-tapered edge structures on a lattice-matched AlInN layer for a positive beveled edge termination

Takayoshi Oshima, Masataka Imura, Yuichi Oshima

Applied Physics Express 17(8) 086501 2024年7月31日査読有り
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga2O3 using forming gas under atmospheric pressure

Takayoshi Oshima, Rie Togashi, Yuichi Oshima

Science and Technology of Advanced Materials 25(1) 2378683 2024年7月26日査読有り
Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Letters 124(4) 042110 2024年1月22日査読有り
Rutile-type GexSn1−xO2 alloy layers lattice-matched to TiO2 substrates for device applications

Hitoshi Takane, Takayoshi Oshima, Takayuki Harada, Kentaro Kaneko, Katsuhisa Tanaka

Applied Physics Express 17(1) 011008 2024年1月3日査読有り
Epitaxial relationship of NiO on ( 1̅ 02) β-Ga2O3

Takayoshi Oshima, Shinji Nakagomi

Japanese Journal of Applied Physics 62(12) 128001 2023年11月23日査読有り
Homoepitaxial growth of (-102) β-Ga₂O₃ by halide vapor phase epitaxy

Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima

Semiconductor Science and Technology 38(10) 105003 2023年8月31日査読有り
Effect of the temperature and HCl partial pressure on selective-area gas etching of (001) β-Ga₂O₃

Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima

Japanese Journal of Applied Physics 62(8) 080901 2023年8月21日査読有り
Anisotropic non-plasma HCl gas etching of a (010) β-Ga₂O₃ substrate

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Express 16(6) 066501 2023年6月15日査読有り
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga₂O₃ substrates by HCl gas

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Letters 122(16) 162102 2023年4月17日査読有り
Growth dynamics of selective-area-grown rutile-type SnO₂ on TiO₂ (110) substrate

Hitoshi Takane, Takayoshi Oshima, Katsuhisa Tanaka, Kentaro Kaneko

Applied Physics Express 16(4) 045503 2023年4月14日査読有り
Self-aligned patterning on β-Ga2O3 substrates via backside-exposure photolithography

Takayoshi Oshima

Japanese Journal of Applied Physics 62(1) 018004 2023年1月18日査読有り
Tackling Disorder in γ‐Ga ₂ O ₃

Laura E. Ratcliff, Takayoshi Oshima, Felix Nippert, Benjamin M. Janzen, Elias Kluth, Rüdiger Goldhahn, Martin Feneberg, Piero Mazzolini, Oliver Bierwagen, Charlotte Wouters …

Advanced Materials 34(37) 2204217-2204217 2022年8月17日査読有り
Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Express 15(7) 075503 2022年7月14日査読有り
In-plane anisotropy in the direction of the dislocation bending in α-Ga2O3 grown by epitaxial lateral overgrowth

Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe

Applied Physics Express 13(11) 115502-115502 2020年11月1日査読有り
In-plane orientation control of (001) κ-Ga2O3 by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism

Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Takashi Shinohe

Japanese Journal of Applied Physics 59(11) 115501-115501 2020年11月1日査読有り

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講演・口頭発表等

215

Crystallographic anisotropic etching of β-Ga2O3

Takayoshi Oshima

18th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2026) 招待有り
Novel crystallographic etching of β-Ga2O3

Takayoshi Oshima

The 2025 International Meeting for Future of Electron Devices (IMFEDK 2025) 2025年11月13日招待有り
Fabrication of (100) Thin Film β-Ga2O3 on Insulator towards Optical Applications

Natthajuks Pholsen, Jewook Jeon, Hideo Otsuki, Takayoshi Oshima, Riena Jinno, Satoshi Iwamoto

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
(001)面β-Ga2O3基板上のβ-Ga2O3/エアギャップ構造作製

大島孝仁, 大島祐一

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
O2供給下における(001) β-Ga2O3のHClガスエッチング

大島祐一, 大島孝仁

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
2.38 wt%TMAH現像液エッチングによる(001)面β-Ga2O3のステップ＆テラス表面形成

大島孝仁

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
Crystallographic HCl gas etching for fabrication of β-Ga2O3/air-gap structures on (100) substrates

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

The 8th United States Gallium Oxide Workshop (GOX 2025) 2025年8月5日
Near-vertical non-plasma HCl gas etching on (011) β-Ga2O3

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

The 8th United States Gallium Oxide Workshop (GOX 2025) 2025年8月5日
結晶異方性ガスエッチングによる(100) β-Ga2O3上のエアブリッジ作製

大島孝仁, 大島祐一

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日
(011)面β-Ga2O3上のHClガスエッチング特性

大島孝仁, 大島祐一

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日
ルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)のショットキーバリアダイオード特性

清水悠吏, 大島孝仁, 衣斐豊祐, 髙橋勲, 金子健太郎

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月15日
(−102) β-Ga2O3基板上のホモ・ヘテロエピタキシとプラズマフリー微細加工

大島孝仁, 大島祐一, 中込真二

第53回結晶成長国内会議 2024年11月18日招待有り
Fabrication of reverse tapered GaN edge structures for positive beveled edge termination

Masataka Imura, Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024年11月4日
格子整合AlInN上GaNの逆テーパー型メサ形成の検討

大島孝仁, 井村将隆, 大島祐一

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月20日
プラズマを用いない酸化ガリウムの微細加工方法

大島孝仁

新技術説明会物質・材料研究機構 2024年6月18日
Lattice-matching epitaxy of rutile-type GexSn1−xO2 alloy film on TiO2 substrate for device applications

Hitoshi Takane, Takayoshi Oshima, Takayuki Harada, Kentaro Kaneko, Katsuhisa Tanaka

Compound Semiconductor Week 2024 2024年6月6日
Structural characterization of homoepitaxial and NiO heteroepitaxial films, and selective-area-grown/-etched structures on (-102) β-Ga2O3 substrates

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima, Shinji Nakagomi

5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2024年5月30日
Growth of α-(Al,Ga)2O3 films lattice-matched to α-Cr2O3 by mist-CVD

Riena Jinno, Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2024年5月29日
Tackling Disorder in γ-Ga2O3

L. E. Ratcliff, T. Oshima, F. Nipper, B. M. Janzen, E. Kluth, R. Goldhahn, M. Feneberg, P. Mazzolini, O. Bierwagen, C. Wouters, M. Nofal, M. Albrech, J. E. N. Swallow, L. A. H. Jones, P. K. Thakar, T L. Lee, C. Kalha, C. Schlueter, T. D. Veal, J. B. Varley, M. R. Wagner, A. Regoutz

5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2024年5月28日
Comparative Study of Temperature-Dependent Bandgap Transitions in Ga2O3 Polymorphs

B. M. Janzen, N. Hajizadeh, M. Meißner, M. N. Marggraf, C. V. Hartung, A. Wüthrich, N. Bernhard, F. Nipper, Z. Galazka, P. Mazzolini, A. Sacchi, R. Fornari, C. Petersen, H. von Wenckstern, M. Grundmann, E. Kluth, M. Feneberg, R. Goldhahn, A. Ardenghi, O. Bierwagen, T. Oshima, T. Kato, H. Nishinaka, J. B. Varley, M. R. Wagner

5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2024年5月27日