大島孝仁 (Takayoshi Oshima) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人物質・材料研究機構主任研究員

学位: 博士（工学）(2010年3月京都大学)

連絡先: OSHIMA.Takayoshinims.go.jp
研究者番号: 60583151
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
J-GLOBAL ID: 201801019877235719
researchmap会員ID: B000292131

経歴

2023年4月 - 現在

国立研究開発法人物質・材料研究機構電子・光機能材料研究センター主任研究員
2021年11月 - 2023年3月

国立研究開発法人物質・材料研究機構機能性材料研究拠点主任研究員
2019年4月 - 2021年10月

株式会社FLOSIFA 研究開発部主任研究員
2018年4月 - 2019年3月

佐賀大学理工学部電気電子工学科准教授
2016年2月 - 2018年3月

佐賀大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻特任助教
2010年4月 - 2016年1月

東京工業大学大学院理工学研究科応用化学専攻助教
2008年4月 - 2010年3月

日本学術振興会特別研究員

学歴

2007年4月 - 2010年3月

京都大学大学院工学研究科電子工学専攻博士課程
2005年4月 - 2007年3月

京都大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程
2001年4月 - 2005年3月

京都大学工学部電気電子工学科学士課程

研究キーワード

研究分野

論文

Plasma-free dry etching of (001) β-Ga₂O₃ substrates by HCl gas

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Letters 122(16) 162102-162102 2023年4月17日査読有り
Growth dynamics of selective-area-grown rutile-type SnO₂ on TiO₂ (110) substrate

Hitoshi Takane, Takayoshi Oshima, Katsuhisa Tanaka, Kentaro Kaneko

Applied Physics Express 16(4) 045503-045503 2023年4月14日査読有り
Self-aligned patterning on β-Ga2O3 substrates via backside-exposure photolithography

Takayoshi Oshima

Japanese Journal of Applied Physics 62(1) 018004 2023年1月18日査読有り
Tackling Disorder in γ‐Ga 2 O 3

Laura E. Ratcliff, Takayoshi Oshima, Felix Nippert, Benjamin M. Janzen, Elias Kluth, Rüdiger Goldhahn, Martin Feneberg, Piero Mazzolini, Oliver Bierwagen, Charlotte Wouters, Musbah Nofal, Martin Albrecht, Jack E. N. Swallow, Leanne A. H. Jones, Pardeep K. Thakur, Tien‐Lin Lee, Curran Kalha, Christoph Schlueter, Tim D. Veal, Joel B. Varley, Markus R. Wagner, Anna Regoutz

Advanced Materials 2022年8月17日査読有り
Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Express 15(7) 075503 2022年7月14日査読有り
In-plane anisotropy in the direction of the dislocation bending in α-Ga2O3 grown by epitaxial lateral overgrowth

Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe

Applied Physics Express 13(11) 115502-115502 2020年11月1日査読有り
In-plane orientation control of (001) κ-Ga2O3 by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism

Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Takashi Shinohe

Japanese Journal of Applied Physics 59(11) 115501-115501 2020年11月1日査読有り
Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties

Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe

Semiconductor Science and Technology 35(5) 055022-055022 2020年5月1日査読有り
Phase-controlled epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy

Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe

Japanese Journal of Applied Physics 59(2) 025512-025512 2020年2月1日査読有り
Microwave Power Rectification Using β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes

Toshiyuki Oishi, Kosuke Urata, Makoto Hashikawa, Kosuke Ajiro, Takayoshi Oshima

IEEE Electron Device Letters 40(9) 1393-1395 2019年9月査読有り
Fabrication of coherent γ-Al2O3/Ga2O3 superlattices on MgAl2O4 substrates

Yuji Kato, Masataka Imura, Yoshiko Nakayama, Masaki Takeguchi, Takayoshi Oshima

Applied Physics Express 12 065503 2019年5月査読有り
Characterization of pseudomorphic γ-Ga2O3 and γ-Al2O3 films on MgAl2O4 substrates and the band-alignment at the coherent γ-Ga2O3/Al2O3 heterojunction interface

Takayoshi Oshima, Yuji Kato, Eisuke Magome, Eiichi Kobayashi, Kazutoshi Takahashi

Japanese Journal of Applied Physics 58 060910 2019年5月査読有り
Demonstration of lateral field-effect transistors using Sn-doped β-(AlGa)2O3 (010)

Hironori Okumura, Yuji Kato, Takayoshi Oshima, Tomás Palacios

Japanese Journal of Applied Physics 58 SBBD12 2019年3月査読有り
β Ga2O3-based metal-oxide-semiconductor photodiodes with HfO2 as oxide

Takayoshi Oshima, Makoto Hashikawa, Sansei Tomizawa, Kazuho Miki, Toshiyuki Oishi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata

Applied Physics Express 11(11) 112202 2018年10月査読有り
Measurements of the band alignment at coherent α-Ga2O3/Al2O3 heterojunctions

Takayoshi Oshima, Yuji Kato, Eiichi Kobayashi, Kazutoshi Takayoshi

Japanese Journal of Applied Physics 57(8) 080308 2018年7月査読有り
α-Al2O3/Ga2O3 superlattices coherently grown on r-plane sapphire

Takayoshi Oshima, Yuji Kato, Masataka Imura, Yoshiko Nakayama, Masaki Takeguchi

APPLIED PHYSICS EXPRESS 11(6) 065501 2018年6月1日査読有り
Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on ((2)over-bar01) beta-Ga2O3

Makoto Kasu, Takayoshi Oshima, Kenji Hanada, Tomoya Moribayashi, Akihiro Hashiguchi, Toshiyuki Oishi, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Osamu Ueda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(9) 2017年9月査読有り
Hetero-epitaxial growth control of single-crystalline anatase TiO2 nanosheets predominantly exposing the {001} facet on oriented crystalline substrates

M. M. Maitani, K. Tanaka, H. Satou, T. Oshima, A. Ohtomo, Y. Wada

CRYSTENGCOMM 19(32) 4734-4741 2017年8月査読有り
Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) beta-Ga2O3 substrates with crystal defects

Takayoshi Oshima, Akihiro Hashiguchi, Tomoya Moribayashi, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Osamu Ueda, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(8) 2017年8月査読有り
Formation of stacking fault and dislocation behavior during the high-temperature annealing of single-crystal HPHT diamond

Satoshi Masuya, Kenji Hanada, Takayoshi Oshima, Hitoshi Sumiya, Makoto Kasu

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 75 155-160 2017年5月査読有り