大島孝仁 (Takayoshi Oshima) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人物質・材料研究機構主任研究員

学位: 博士（工学）(2010年3月京都大学)

連絡先: OSHIMA.Takayoshinims.go.jp
研究者番号: 60583151
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
J-GLOBAL ID: 201801019877235719
researchmap会員ID: B000292131

研究キーワード

研究分野

経歴

2023年4月 - 現在

物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主任研究員
2021年11月 - 2023年3月

物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員
2019年4月 - 2021年10月

株式会社FLOSIFA, 研究開発部, 主任研究員
2018年4月 - 2019年3月

佐賀大学, 理工学部電気電子工学科, 准教授
2016年2月 - 2018年3月

佐賀大学, 大学院工学系研究科電気電子工学専攻, 特任助教
2010年4月 - 2016年1月

東京工業大学, 大学院理工学研究科応用化学専攻, 助教
2008年4月 - 2010年3月

日本学術振興会, 特別研究員

学歴

2007年4月 - 2010年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻博士課程
2005年4月 - 2007年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻修士課程
2001年4月 - 2005年3月

京都大学, 工学部, 電気電子工学科学士課程

論文

Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Letters 124(4) 042110 2024年1月22日査読有り
Rutile-type GexSn1−xO2 alloy layers lattice-matched to TiO2 substrates for device applications

Hitoshi Takane, Takayoshi Oshima, Takayuki Harada, Kentaro Kaneko, Katsuhisa Tanaka

Applied Physics Express 17(1) 011008 2024年1月3日査読有り
Epitaxial relationship of NiO on ( 1̅ 02) β-Ga2O3

Takayoshi Oshima, Shinji Nakagomi

Japanese Journal of Applied Physics 62(12) 128001 2023年11月23日査読有り
Homoepitaxial growth of (-102) β-Ga₂O₃ by halide vapor phase epitaxy

Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima

Semiconductor Science and Technology 38(10) 105003 2023年8月31日査読有り
Effect of the temperature and HCl partial pressure on selective-area gas etching of (001) β-Ga₂O₃

Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima

Japanese Journal of Applied Physics 62(8) 080901 2023年8月21日査読有り
Anisotropic non-plasma HCl gas etching of a (010) β-Ga₂O₃ substrate

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Express 16(6) 066501 2023年6月15日査読有り
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga₂O₃ substrates by HCl gas

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Letters 122(16) 162102 2023年4月17日査読有り
Growth dynamics of selective-area-grown rutile-type SnO₂ on TiO₂ (110) substrate

Hitoshi Takane, Takayoshi Oshima, Katsuhisa Tanaka, Kentaro Kaneko

Applied Physics Express 16(4) 045503 2023年4月14日査読有り
Self-aligned patterning on β-Ga2O3 substrates via backside-exposure photolithography

Takayoshi Oshima

Japanese Journal of Applied Physics 62(1) 018004 2023年1月18日査読有り
Tackling Disorder in γ‐Ga ₂ O ₃

Laura E. Ratcliff, Takayoshi Oshima, Felix Nippert, Benjamin M. Janzen, Elias Kluth, Rüdiger Goldhahn, Martin Feneberg, Piero Mazzolini, Oliver Bierwagen, Charlotte Wouters …

Advanced Materials 34(37) 2204217-2204217 2022年8月17日査読有り
Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Express 15(7) 075503 2022年7月14日査読有り
In-plane anisotropy in the direction of the dislocation bending in α-Ga2O3 grown by epitaxial lateral overgrowth

Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe

Applied Physics Express 13(11) 115502-115502 2020年11月1日査読有り
In-plane orientation control of (001) κ-Ga2O3 by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism

Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Takashi Shinohe

Japanese Journal of Applied Physics 59(11) 115501-115501 2020年11月1日査読有り
Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties

Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe

Semiconductor Science and Technology 35(5) 055022-055022 2020年5月1日査読有り
Phase-controlled epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy

Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe

Japanese Journal of Applied Physics 59(2) 025512-025512 2020年2月1日査読有り
Photodetectors

Takayoshi Oshima

Gallium Oxide 2020年
Microwave Power Rectification Using β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes

Toshiyuki Oishi, Kosuke Urata, Makoto Hashikawa, Kosuke Ajiro, Takayoshi Oshima

IEEE Electron Device Letters 40(9) 1393-1395 2019年9月査読有り
Fabrication of coherent γ-Al2O3/Ga2O3 superlattices on MgAl2O4 substrates

Yuji Kato, Masataka Imura, Yoshiko Nakayama, Masaki Takeguchi, Takayoshi Oshima

Applied Physics Express 12(6) 065503 2019年5月査読有り
Characterization of pseudomorphic γ-Ga2O3 and γ-Al2O3 films on MgAl2O4 substrates and the band-alignment at the coherent γ-Ga2O3/Al2O3 heterojunction interface

Takayoshi Oshima, Yuji Kato, Eisuke Magome, Eiichi Kobayashi, Kazutoshi Takahashi

Japanese Journal of Applied Physics 58(6) 060910-060910 2019年5月査読有り
Demonstration of lateral field-effect transistors using Sn-doped β-(AlGa)2O3 (010)

Hironori Okumura, Yuji Kato, Takayoshi Oshima, Tomás Palacios

Japanese Journal of Applied Physics 58({SB}) SBBD12 2019年3月査読有り

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講演・口頭発表等

194

(−102)面β-Ga2O3への大気圧下での窒素希釈水素ガスエッチング

大島孝仁, 富樫理恵, 大島祐一

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月23日
α-Cr2O3基板に格子整合したα-(Al,Ga)2O3の成長

神野莉衣奈, 大島孝仁, 大島祐一, 深津晋

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月23日
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第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月23日
GaN正ベベル終端形成のための選択成長結晶に対する逆テーパーエッチングの提案

大島孝仁, 井村将隆, 大島祐一, 大石敏之

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月23日
ファセット形成を利用したβ-Ga2O3の微細加工

大島孝仁, 大島祐一

日本学術振興会第R032委員会「ワイドギャップパワー半導体：β-Ga2O3とダイヤモンド」 2024年1月12日招待有り
β-Ga2O3基板に対するHClガスエッチングの温度とHCl分圧依存性

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第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月21日
(−102)面β-Ga2O3基板に対する選択成長と選択エッチング

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第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月20日
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r-GexSn1–xO2の成長機構とコヒーレント薄膜の作製

高根倫史, 大島孝仁, 田中勝久, 金子健太郎

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月20日
Comparative Study of Temperature-Dependent Bandgap Transitions in Ga2O3 Polymorphs

B. M. Janzen, N. Hajizadeh, M. Meißner, M. N. Marggraf, C. V. Hartung, A. Wüthrich, N. Bernhard, F. Nipper, Z. Galazka, P. Mazzolini, A. Sacchi, R. Fornari. Petersen, H. von Wenckstern, M. Grundmann, E. Kluth, M. Feneberg, R. Goldhahn, A. Ardenghi, O. Bierwagen, T. Oshima, T. Kato, H. Nishinaka, J. B. Varley, M. R. Wagner

The 6th U.S. Gallium Oxide Workshop 2023年8月14日
HCl gas etching of (010) and (001) β-Ga2O3 substrates for the fabrication of plasma-damage-free trenches and fins

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Compound Semiconductor Week 2023 2023年6月2日
Selective area growth of r-SnO2 on r-TiO2 (110) substrate

Hitoshi Takane, Takayoshi Oshima, Katsuhisa Tanaka, Kentaro Kaneko

Compound Semiconductor Week 2023 2023年5月31日
(010)面β-Ga2O3基板に対する異方性HCl ガスエッチング

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第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
(001)面β-Ga2O3基板に対する異方性HCl ガスエッチング

大島孝仁, 大島祐一

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日
TiO2 (110)基板上ルチル型SnO2の選択成長

高根倫史, 大島孝仁, 田中勝久, 金子健太郎

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月15日
TiO2基板上に選択成長したルチル型SnO2の成長ダイナミクス

日本セラミックス協会2023年年会 2023年3月10日
β型酸化ガリウム半導体の選択成長

大島孝仁, 大島祐一

SATテクノロジー・ショーケース2023 2023年1月26日
Self-aligned photolithography using backside exposure through metal patterns on β-Ga2O3 substrates

Takayoshi Oshima

4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2022年10月24日
Selective-area-grown high-aspect-ratio β-Ga2O3 structures fabricated by HCl-based halide vapor phase epitaxy

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2022年10月24日
HCl支援ハライド気相成長法を用いたβ-Ga2O3の選択成長

大島孝仁, 大島祐一

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月20日